公司日前宣布，已成功研发出第五代3D NAND闪存技术BiCS5。该技术BiCS5是建立在三级单元（TLC）和四级单元（Q LC）技术的基础上，并根据这一技术，使其理想地解决与移动设备和人工智能相关的数据的指数增长。
该公司已开始在512千兆（Gb）芯片中初步生产BiCS5TLC，目前正在运输基于新技术的消费产品。预计在2020年日历的下半年生产有意义的商业量的BiCS5。BiCS5TLC和BiCS5QLC将以各种能力提供，包括1.33特拉比特（T b）。BiCS5技术是与技术和制造伙伴Kioxia公司联合开发的。它将在三重县和岩手县北上市的合资企业制造工厂制造。该公司声称BiCS5是其迄今为止最高密度和最先进的3DNA ND技术。根据西方数字，第二代多层存储孔技术，改进的工程过程和其他3DNAND单元增强显着地增加了横向跨越晶片的单元阵列密度。这些“横向扩展”的进步，结合112层垂直存储能力，使BiCS5提供高达40%的存储容量每晶片比西方数字96层BiCS4技术，同时优化成本，该公司声称。引入BiCS5技术建立在完整的西方数字3D NAND技术组合的基础上，用于以数据为中心的个人电子产品、智能手机、物联网设备和数据中心。“随着我们进入下一个十年，一种新的3D NAND扩展方法对于继续满足不断增长的数据量和速度的需求至关重要，”WesternDigital存储技术和制造业高级副总裁史蒂夫？“我们成功地生产了BiCS5，这说明了西方数字公司在闪存技术方面的持续领先地位，以及对我们路线图的强有力执行。通过利用我们的多层内存孔技术的新进展来横向提高密度以及增加更多的存储层，我们已经显著地扩大了我们的3D NAND技术的容量和性能，同时继续提供我们的客户所期望的可靠性和成本。