三星周四宣布，它已经开始生产EUV7nmLPP芯片，这是一个非常复杂的方式来告诉世界，7nm芯片将及时准备好，以便GalaxyS10明年推出。 如果7nm听起来很熟悉，那是因为包括华为和苹果在内的智能手机制造商已经推出了这样的设备。 华为是第一个推出7nm980，为Mate20Pro提供动力，但苹果的7nmA12仿生芯片在iPhoneXS和XR模型中首先运往消费者。
那么EUV7nmLPP是什么意思，还是7LPP是什么意思?? 这是短缺的“7纳米(N m)LP P(低功率加)与极端紫外线(E UV)光刻技术。”7nm芯片将比10nm芯片更快和更有效，为2018年Android旗舰的大部分，三星的GalaxyS9和注9包括在内。
但根据三星的说法，EUV技术的有趣之处在于它可以降低这些芯片的制造成本：
V使用13.5nm波长的光来暴露硅片，而不是传统的氟化氩(ArF)浸泡技术，这些技术只能实现193nm波长，并且需要昂贵的多图案掩模集.. EUV允许使用单个掩模来创建硅片层，其中ArF可以需要多达4个掩模来创建同一层。
与其10nmFIN FET前辈相比，三星的7LPP技术不仅大大降低了工艺复杂性，更少的层和更好的产率，而且还提供了高达40%的面积效率和20%的高性能或高达50%的低功耗。
三星没有在新闻稿中提到7nmExynos芯片的名称，该芯片将于明年为GalaxyS10或GalaxyS10供电。 但很可能三星自己的7nm芯片技术将被用来提供处理器下一代银河标志将需要。
有趣的是，几天前台积电还宣布(通过极端技术)，它将继续自己的7nmEUV计划。 台积电是三星最大的竞争对手之一，也是世界上最重要的芯片制造商。 它也是专门为苹果生产A系列芯片的公司，包括7nmA12仿生。 但A12并不是建立在EUV技术上的-AnandTech今年早些时候解释了台积电现有的7nm：
台积电的CLN7FF工艺技术将依赖于深紫外(DUV)光刻与氩氟化物(Ar F)准分子激光器在193nm波长上工作。 因此，世界上最大的半导体合同制造商将能够使用现有的制造工具来制造7nm芯片。 同时，为了继续使用DUV光刻，公司及其客户必须使用多模式(三倍和四倍模式)，这增加了设计和生产成本以及产品周期。
台积电预计明年将生产7nm斯纳普龙855，根据报道，该公司应更名为斯纳普龙8150。 这是芯片，将为一些银河S10和注10版本今年。 无论使用何种技术，7nm芯片都应该提供类似的性能，尽管不要指望三星的7nmExynos芯片能击败苹果的A12。 但EUV将使公司更便宜地批量生产它。