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SK hynix已通过有关DDR5吸引力的技术博客更新了其新闻编辑室的内容。该博客包含许多有趣的观点和插图，使DDR5的进步及其吸引力非常明显。此外，SK hynix表示 DDR5将在“不久的将来”上市，并通过宣布“今年”大规模生产DDR5存储器芯片来支持DDR5 。HEXUS此前曾报道过将DDR5作为下一个DRAM标准，其中包括SK海力士于2019年2月发布的首批DDR5芯片的一部分。
近年来，一种公认的趋势是计算机通常会集成更多的CPU内核。变革的步伐非常显着，因此对内存带宽的需求也要求建立一个高效的系统。2013年，我们见证了从DDR3到DDR4的重大转变，使DIMM带宽增加了大约三分之一。在开发DDR5时，SK Hynix的目标是使每个DIMM的带宽增加一倍以上，目标是超过4,800Mbps。
除了额外的带宽外，SK hynix表示，它还努力提高性能，容量，功耗和成本效率，使其超越DDR4的能力-并通过片上ECC提供更高的可靠性。它采用了以下功能来实现此目标：
首先，DDR5采用基于8个存储组的32bank结构，这是DDR4使用4个存储组的16bank结构的两倍。与DDR4相比，这使DDR5的内存访问可用性提高了一倍。
其次，DDR5的突发长度(BL)从DDR4的8增加到16，这是使内存访问可用性加倍的另一个关键功能。
第三，DDR4在刷新时无法执行其他操作，因此在刷新定时无法从系统访问它。但是，DDR5采用了Same Bank Refresh功能，允许系统在某些存储区运行时访问其他存储区，从而提高了内存访问的可用性。
从上面突出显示和比较的DDR5规范中可以看出，SK hynix表示模块的JEDEC速度将达到DDR5-8400。
据SK hynix引用的市场研究人员称，从2020年开始，DDR5的采用率最快将在2021年占到整个DRAM市场的22%。SK hynix打算从一开始就提供超高速，大容量内存。 ，从其10nm级16Gb DDR5芯片开始。