全球先进存储器技术的领导者三星电子今天宣布，其第三代高带宽存储器2E(HBM2E)进入市场“ Flashbolt”。新的16 GB(GB)HBM2E特别适合最大化高性能计算(HPC)系统，并帮助系统制造商及时改进其超级计算机，AI驱动的数据分析和最新的图形系统。
三星内存销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示：“随着当今市场上性能最高的DRAM的推出，我们正在迈出关键的一步，以增强我们在快速增长的高端内存市场中作为领先创新者的作用。”电子产品。“随着我们巩固在全球存储器市场的优势，三星将继续履行其带来真正差异化解决方案的承诺。”
新型Flashbolt准备提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的两倍，还可以显着提高性能和能效，从而显着改善下一代计算系统。通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm级(1y)16千兆位(Gb)DRAM裸片来实现16GB的容量。然后，将这种HBM2E封装以40,000多个“直通硅通孔”(TSV)微型凸块的精确排列进行互连，每个16Gb裸片包含超过5,600个这些微观孔。
三星的Flashbolt通过利用专有的优化电路设计进行信号传输，可提供每秒3.2吉比特(Gbps)的高度可靠的数据传输速度，同时每个堆栈提供410GB / s的内存带宽。三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度，这是迄今为止最大的测试数据速率，在某些将来的应用中，每个堆栈的带宽高达538GB / s。这将比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。
三星预计将在今年上半年开始量产。该公司将继续提供其第二代Aquabolt产品阵容，同时扩大其第三代Flashbolt产品范围，并将在整个高端内存市场加速向HBM解决方案的过渡时，进一步加强与下一代系统中生态系统合作伙伴的合作。