Dana正在提出它全新的高效碳化硅(SiC)逆变器，用于在CTIBerlin（12月9-12日）的电子竞赛。
DanaTM4(以前的TM4)除了其一般的450-900V工作电压和195kW/L的功率密度外，还没有揭示关于SiC逆变器的细节。
新的SiC功率电子器件，用于高效率的逆变器和充电器以及下一代电池组(800V)，是未来发展的主要方向之一。
目前，SiC功率电子器件在高端模型中使用，这增加了单次充电的范围至少几％。
Dana TM4 SiC技术逆变器最初是为了满足赛车的高性能要求而开发的，过去五年来一直作为戴纳技术的试验平台，它能够支持超过800伏特的乘用车和900伏特的赛车，SiC技术可以提高系统电压，提高整体系统效率。
与传统的逆变技术相比，具有提高开关频率的能力，提高了输出电流的质量，控制了更高的频率输出电流，为电机的设计增加了必要的灵活性。高频逆变器的另一个核心好处是它可以在较小的封装中提供同等或更大的功率，同时还可以降低功率转换期间的损耗–提高车辆的效率。
采用SiC嵌入式的逆变电源达到每升195 kW，接近2025年能源部100 kW/L的目标的两倍。同样，由于碳化硅动力模块的高性能特性，电池和其他关键车辆部件，如马达，可以缩小尺寸，反过来支持原始设备制造商追求开发更紧凑和轻量化的汽车。DANA TM4正在开发大规模生产技术，以满足对高性能逆变器日益增长的需求。“
Dana首席技术官ChristopheDominiak说：
达纳公司利用30多年的电力电子设计经验，在开发新的和增强的逆变解决方案方面继续处于领先地位。我们以碳化硅为基础的技术逆变器展示了我们在下一代逆变器方面的领导地位和能力.这些新技术对于帮助我们的客户在未来几年内实现他们的能力、范围和效率目标至关重要。“