SK海力士宣布已经完成了业界最多层的，由176层组成的多层512 Gb三层单元(TLC)4D NAND闪存的开发。该公司表示，上个月向控制公司提供了样品，以便他们可以围绕它设计产品。以前，SK hynix使用96层NAND闪存产品来推广其4D技术，该产品将Charge Trap Flash和高集成度Peri相结合。
新型176层NAND闪存是第三代4D产品，该公司表示，该技术可确保每片晶圆拥有业界最佳数量的芯片。每个晶片更多的芯片使位生产率比上一代产品提高了35%，具有差异化的成本竞争力。通过采用两格单元阵列选择技术，单元读取速度比上一代提高了20%。
通过采用加速技术而不增加进程数量，SK hynix还将数据传输速度提高了33%，达到1.6 Gbps。使用新技术的消费者和企业固态硬盘将在明年年中面世，最大读取速度提高70%，最大写入速度提高35%。
SK hynix表示，它克服了增加NAND闪存产品中的层数所带来的挑战，例如单元电流减少，通道扭曲以及由于双堆叠未对准而导致的单元分布恶化。它使用单元中间层高度减小，层可变时序控制和超精确对准来克服这些障碍。
将使用新型176层NAND闪存开发的产品包括采用新型NAND的双倍密度的1Tb产品。存储产品始终欢迎更快的读写速度，这对于企业用户和计算机爱好者来说是个好消息。没有迹象表明使用新技术可能会花费多少产品。