在半导体领域，5nm工艺之后是什么工艺？按照目前的时间线，应该是4nm，然后明年进行3nm的量产。
事实上，4nm是5nm的进一步提升，它的优势在于性能和功耗不断优化，设计上相互兼容，让客户几乎可以用同样的成本获得新技术。
虽然3纳米是5纳米的真正迭代升级，但TSMC和三星都在为先进工艺做准备。
昨日晚间消息，据外媒报道，三星宣布其自有的3纳米制程技术已正式发布，采用GAA架构(环绕栅晶体管)，性能优于TSMC的3纳米FinFET架构(fin场效应晶体管)。
三星表示，3纳米工艺流程表是与思思科技合作完成的。技术性能方面，GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，可以满足一定栅极宽度的要求。
例如，在相同的尺寸结构下，GAA的沟道控制能力得到加强，从而为进一步减小尺寸提供了可能。
其实这方面是有争论的。3nm没有最终量产安装，所以GAA可能肯定不会超过FinFET。毕竟只是三星的说法，没人会说他们的瓜不甜。时间上，由于该片已经上映，距离三星3纳米量产已经不远，而TSMC则计划在今年进行3纳米的风险试产，2022年投入量产。